2N6590 Todos los transistores

 

2N6590 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6590
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 550 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO3

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N6590

 

2N6590 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:160K  bocasemi
 2n6494 2n6594.pdf pdf_icon

2N6590

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 9.2. Size:151K  jmnic
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6590

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6590

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings

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History: 2SB92

 

 
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