2SD667-C Todos los transistores

 

2SD667-C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD667-C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92MOD

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2SD667-C Datasheet (PDF)

 7.1. Size:557K  mcc
 2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdf pdf_icon

2SD667-C

2SD667(A)-B MCC Micro Commercial Components TM 2SD667(A)-C 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2SD667(A)-D Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Pla

 7.2. Size:257K  lge
 2sd667-2sd667a to-92mod.pdf pdf_icon

2SD667-C

2SD667/2SD667A TO-92MOD Transistor (NPN) TO-92MOD 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE Features Low frequency power amplifier 5.800 6.200 Complementary pair with 2SB647/A 8.400 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 8.800 0.900 1.100 Symbol Parameter Value Units 0.400 VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0.600 VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD667 8

 7.3. Size:215K  lge
 2sd667-2sd667a to-92l.pdf pdf_icon

2SD667-C

2SD667/2SD667A TO-92L Transistor (NPN) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 5.100 2 3 1 Features 7.800 Low frequency power amplifier 8.200 Complementary pair with 2SB647/A 0.600 0.800 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350 Symbol Parameter Value Units 0.550 13.800 14.200 VCBO Collector- Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Vol

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History: HA7522 | STX790A

 

 
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