2N6594 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6594  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 750 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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2N6594 datasheet

 ..1. Size:160K  bocasemi
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2N6594

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 ..2. Size:151K  jmnic
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2N6594

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 ..3. Size:117K  inchange semiconductor
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2N6594

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings

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