2SD669-D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD669-D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO126

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2SD669-D datasheet

 7.1. Size:265K  mcc
 2sd669-b-c-d 2sd669a-b-c.pdf pdf_icon

2SD669-D

 7.2. Size:236K  secos
 2sd669-669a.pdf pdf_icon

2SD669-D

2SD669/2SD669A NPN Type Elektronische Bauelemente Plastic Encapsulate Transistors RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free TO-126C 2.7 0.2 7.6 0.2 FEATURES 1.3 0.2 4.0 0.1 Power dissipation 10.8 0.2 PCM 1mW Tamb=25 O3.1 0.1 Collector current 1 2 3 2.2 0.1 ICM 1.5 A 1.27 0.1 Collector-base voltage 15.5 0.2 V

 7.3. Size:180K  lge
 2sd669-2sd669a to-126.pdf pdf_icon

2SD669-D

2SD669/2SD669A(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 2 1 Features 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Low frequency power amplifier complementary pair 1.500 with 2SB649/A 3.900 3.000 4.100 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.200 10.600 0.000 0.300 Symbol Parameter Value Units11.000 VCBO Collector- Base Voltage 180 V 2.

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