2SD669-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD669-D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD669-D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD669-D даташит

 7.1. Size:265K  mcc
 2sd669-b-c-d 2sd669a-b-c.pdf pdf_icon

2SD669-D

 7.2. Size:236K  secos
 2sd669-669a.pdf pdf_icon

2SD669-D

2SD669/2SD669A NPN Type Elektronische Bauelemente Plastic Encapsulate Transistors RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free TO-126C 2.7 0.2 7.6 0.2 FEATURES 1.3 0.2 4.0 0.1 Power dissipation 10.8 0.2 PCM 1mW Tamb=25 O3.1 0.1 Collector current 1 2 3 2.2 0.1 ICM 1.5 A 1.27 0.1 Collector-base voltage 15.5 0.2 V

 7.3. Size:180K  lge
 2sd669-2sd669a to-126.pdf pdf_icon

2SD669-D

2SD669/2SD669A(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 2 1 Features 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Low frequency power amplifier complementary pair 1.500 with 2SB649/A 3.900 3.000 4.100 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.200 10.600 0.000 0.300 Symbol Parameter Value Units11.000 VCBO Collector- Base Voltage 180 V 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD667L-D, 2SD669A-B, 2SD669A-C, 2SD669AL, 2SD669AM, 2SD669AM-A, 2SD669-B, 2SD669-C, S8050, 2SD468B, 2SD468C, 2SD601LT1, 2SD602LT1, 2SD874AQ, 2SD874AR, 2SD874AS, 2SD874Q