2SD882-GR . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD882-GR
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD882-GR
2SD882-GR Datasheet (PDF)
2sd882-gr-r-o-y.pdf
2SD882-RMCCMicro Commercial ComponentsTM2SD882-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SD882-YPhone: (818) 701-49332SD882-GRFax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates NPN SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat
2sd882-252.pdf
TransistorsSMD Type TransistorsNPN Silicon Power Transistor2SD882TO-252 Features Unit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1 Collector Power Dissipation: PC=1.25W+0.85.30+0.2 0.50-0.7-0.2 Collector Current: IC=3A0.1270.80+0.1 max-0.121 32.3 0.60+0.1-0.11 Base+0.154.60-0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating
2sd882-ms.pdf
www.msksemi.com2SD882-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance1. BASE TRANSISTOR (NPN) 2. COLLETOR FEATURES Power dissipation 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 3 A PC C
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
