PMC3358 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMC3358
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 70 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 6000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: SOT37
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PMC3358 datasheet
pmc3358.pdf
PMC3358 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA Collector power Dissipation Ptot 250 mW 1 Base Junction Temperature TjMAX 150
pmc3356.pdf
PMC3356 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. SOT-23 MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA 1 Base Total Power Dissipation Ptot 200 mW 2 Emitter Junction Temperat
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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