QST9 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QST9
Código: T09
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TSMT6
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QST9 datasheet
qst9.pdf
QST9 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) QST9 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver 2.8 1.6 Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) max. -350mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM TSMT6 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol T09 Equivalent circui
Otros transistores... QS5Y2 , QS6Z5 , QSH29 , QSL10 , QSL11 , QSL12 , QSL9 , QST8 , B647 , QSX7 , QSX8 , QSZ1 , QSZ2 , QSZ3 , QSZ4 , R13003F1 , SS8050-C .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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