QST9 - описание и поиск аналогов

 

QST9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QST9

Маркировка: T09

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TSMT6

 Аналоги (замена) для QST9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QST9 даташит

 ..1. Size:63K  rohm
 qst9.pdf pdf_icon

QST9

QST9 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) QST9 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver 2.8 1.6 Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) max. -350mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM TSMT6 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol T09 Equivalent circui

Другие транзисторы: QS5Y2, QS6Z5, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8, B647, QSX7, QSX8, QSZ1, QSZ2, QSZ3, QSZ4, R13003F1, SS8050-C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.