2SD1005-W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1005-W  📄📄 

Código: BW

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 160 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT89

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2SD1005-W datasheet

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2SD1005-W

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2SD1005-W

2SD1005 1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES Small Flat Package 4 High Breakdown Voltage Excellent DC Current Gain Linearity 1 2 3 B C A E E C CLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 2SD1005-W 2SD1005-V 2SD1005-U B D Range 90 180 1

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2SD1005-W

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SD1005 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Breakdown Voltage 3. EMITTER Excellent DC Current Gain Linearity MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO C

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2SD1005-W

2SD1005 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Small Flat Package 1. BASE High Breakdown Voltage Excellent DC Current Gain Linearity 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1 A PC Coll

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