Биполярный транзистор 2SD1005-W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1005-W
Маркировка: BW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SD1005-W
2SD1005-W Datasheet (PDF)
2sd1005.pdf
2SD1005 1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES Small Flat Package 4 High Breakdown Voltage Excellent DC Current Gain Linearity 123B C AE ECCLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 2SD1005-W 2SD1005-V 2SD1005-U B DRange 90~180 1
2sd1005.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SD1005 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Breakdown Voltage 3. EMITTER Excellent DC Current Gain Linearity MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO C
2sd1005.pdf
2SD1005 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Small Flat Package1. BASE High Breakdown Voltage Excellent DC Current Gain Linearity 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1 A PC Coll
2sd1005.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10051.70 0.1FeaturesWorld standard miniature package: SOT-89.High collector to base voltage: VCBO 100V.0.42 0.10.46 0.1Excellent dc current gain linearity: hFE=80TYP. (VCE=2V, IC=500mA).1.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 100 VCollector-emitter vo
2sd1005bw 2sd1005bv 2sd1005bu.pdf
2SD1005NPN Medium Power TransistorsFeaturesHigh current (max. 1 A).Low voltage (max. 80 V).Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-basevoltage CBO 100 VVCEOCollector-emittervoltageV80 VEmitter-base voltage VEBO 5VCollector current IC 1APeak collector current ICM 1.5 APeak base current IBM 0.2 ATotal power dissipation Ptot 1.3 WStor
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050