BUL66A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUL66A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 75 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BUL66A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUL66A datasheet

 ..1. Size:14K  semelab
 bul66a.pdf pdf_icon

BUL66A

BUL66A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.1. Size:14K  semelab
 bul66b.pdf pdf_icon

BUL66A

BUL66B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

Otros transistores... BUL3P5, BUL416T, BUL45D2G, BUL49DFP, BUL64A, BUL64B, BUL65A, BUL65B, MJE340, BUL66B, BUL68A, BUL68B, BUL70A, BUL72A, BUL72B, BUL52ASMD, BUL52BSMD