2N665 Todos los transistores

 

2N665 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N665
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N665

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N665 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N665

2N6659, 2N6659-2www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 35 Low On-Resistence: 1.3 RDS(on) () at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold: 1.7 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 8 ns Low Input and Output LeakageTO-205ADBENEFITS(TO-39) Guarant

 0.2. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N665

AAA

 0.3. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

2N665

 0.4. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N665

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25C Drain Current 1.4A ID TC = 100C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25C Power Dissipation 6.25W

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: RN2913FS | SRC1202SF

 

 
Back to Top

 


 
.