2N665 Todos los transistores

 

2N665 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N665

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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2N665 datasheet

 0.1. Size:89K  vishay
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2N665

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 0.2. Size:146K  mospec
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2N665

A A A

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2N665

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2N665

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25 C Drain Current 1.4A ID TC = 100 C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25 C Power Dissipation 6.25W

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