2N665 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N665  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N665

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N665 даташит

 0.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N665

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 0.2. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N665

A A A

 0.3. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

2N665

 0.4. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N665

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25 C Drain Current 1.4A ID TC = 100 C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25 C Power Dissipation 6.25W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6619, 2N662, 2N6620, 2N6621, 2N6622, 2N663, 2N6648, 2N6649, C5198, 2N6650, 2N6653, 2N6653-1, 2N6653-2, 2N6653-3, 2N6653A, 2N6653B, 2N6654