2N6650 Todos los transistores

 

2N6650 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6650
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2N6650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  mospec
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AAA

 9.1. Size:89K  vishay
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2N6650

2N6659, 2N6659-2www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 35 Low On-Resistence: 1.3 RDS(on) () at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold: 1.7 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 8 ns Low Input and Output LeakageTO-205ADBENEFITS(TO-39) Guarant

 9.2. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:71K  semelab
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2N6650

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25C Drain Current 1.4A ID TC = 100C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25C Power Dissipation 6.25W

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History: KSC5031R | CHDTA144EUGP | D45C4

 

 
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