Справочник транзисторов. 2N6650

 

Биполярный транзистор 2N6650 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6650
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6650

AAA

 9.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N6650

2N6659, 2N6659-2www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 35 Low On-Resistence: 1.3 RDS(on) () at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold: 1.7 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 8 ns Low Input and Output LeakageTO-205ADBENEFITS(TO-39) Guarant

 9.2. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

2N6650

 9.3. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N6650

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25C Drain Current 1.4A ID TC = 100C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25C Power Dissipation 6.25W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N662 , 2N6620 , 2N6621 , 2N6622 , 2N663 , 2N6648 , 2N6649 , 2N665 , BD140 , 2N6653 , 2N6653-1 , 2N6653-2 , 2N6653-3 , 2N6653A , 2N6653B , 2N6654 , 2N6654-1 .

History: BF668 | BFG424W | 2SC395AO | NSBC115TPDP6T5G | DTB143EC | DDC143TU | MJ400

 

 
Back to Top

 


 
.