2N6650 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2N6650 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N6650
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N6650

 

2N6650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6650

A A A

 9.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N6650

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 9.2. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

2N6650

 9.3. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N6650

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25 C Drain Current 1.4A ID TC = 100 C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25 C Power Dissipation 6.25W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N662 , 2N6620 , 2N6621 , 2N6622 , 2N663 , 2N6648 , 2N6649 , 2N665 , BC337 , 2N6653 , 2N6653-1 , 2N6653-2 , 2N6653-3 , 2N6653A , 2N6653B , 2N6654 , 2N6654-1 .

History: MPS4146 | AC573

 

 
Back to Top

 


 
.