KC808 Todos los transistores

 

KC808 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC808
   Código: 5E_5F_5G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23

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KC808 Datasheet (PDF)

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KC808

SMD Type Transistors PNP Transistors BC808 (KC808) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features High collector current. High current gain. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Low collector-emitter saturation voltage. +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -30 V Collec

 0.1. Size:317K  kexin
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KC808

SMD Type Transistors PNP Transistors BC808A (KC808A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 For general AF applications. High collector current. 1 2 High current gain. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Low collector-emitter saturation voltage. 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector

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History: MJD200G | KC636 | FJAF6810 | 2SC3514 | DDTA124XCA | 2SC2953 | STSA1805

 

 
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