KC808 Todos los transistores

 

KC808 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC808
   Código: 5E_5F_5G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KC808 Datasheet (PDF)

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KC808

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC808 (KC808)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesHigh collector current.High current gain.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01Low collector-emitter saturation voltage.+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -30 VCollec

 0.1. Size:317K  kexin
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KC808

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC808A (KC808A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3For general AF applications.High collector current.1 2High current gain.+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

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History: RCP703B | MRF476 | MP506 | DTC124EEFRA | NKT20339 | RD9FE-T | GF142

 

 
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