KC808 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KC808  📄📄 

Маркировка: 5E_5F_5G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KC808

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC808 даташит

 ..1. Size:866K  kexin
 kc808.pdf pdf_icon

KC808

SMD Type Transistors PNP Transistors BC808 (KC808) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features High collector current. High current gain. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Low collector-emitter saturation voltage. +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -30 V Collec

 0.1. Size:317K  kexin
 kc808a.pdf pdf_icon

KC808

SMD Type Transistors PNP Transistors BC808A (KC808A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 For general AF applications. High collector current. 1 2 High current gain. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Low collector-emitter saturation voltage. 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector

Другие транзисторы: KC327, KC337, KC556, KC557, KC558, KC807, KC807A, KC807W, TIP120, KC808A, KC817-16, KC817-25, KC817-40, KC817A-16, KC817A-25, KC817A-40, KC817W-16