KC817-40 Todos los transistores

 

KC817-40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC817-40
   Código: 6C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KC817-40 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1052K  kexin
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KC817-40

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817 HF (KC817 HF)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 For general AF applications Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 HF ( PNP )1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

 9.2. Size:314K  kexin
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KC817-40

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817A (KC817A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3For general AF applications.High collector current.1 2High current gain.+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

 9.3. Size:955K  kexin
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KC817-40

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817W (KC817W) Features For General AF Applications High Collector Current High Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to BC807W1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Volt

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History: 2SB863R

 

 
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