KC817W-25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KC817W-25  📄📄 

Código: 6B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT323

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KC817W-25 datasheet

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KC817W-25

SMD Type Transistors NPN Transistors BC817W (KC817W) Features For General AF Applications High Collector Current High Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to BC807W 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Volt

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KC817W-25

SMD Type Transistors NPN Transistors BC817 HF (KC817 HF) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 For general AF applications Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BC807 HF ( PNP ) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

 9.2. Size:314K  kexin
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KC817W-25

SMD Type Transistors NPN Transistors BC817A (KC817A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 For general AF applications. High collector current. 1 2 High current gain. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Low collector-emitter saturation voltage. 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector

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