KC850W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KC850W

Código: 2F*_2G*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT323

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KC850W datasheet

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KC850W

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849W BC850W (KC849W KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860W C 1.Base 2.Emitter B 3.Collector E Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC849W 30 Collector - Base Voltage VCBO BC850W 50 BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC

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KC850W

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849 BC850 (KC849 KC850) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements BC859 and BC860. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

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