KC850W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KC850W

Маркировка: 2F*_2G*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для KC850W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC850W даташит

 ..1. Size:686K  kexin
 kc849w kc850w.pdf pdf_icon

KC850W

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849W BC850W (KC849W KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860W C 1.Base 2.Emitter B 3.Collector E Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC849W 30 Collector - Base Voltage VCBO BC850W 50 BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC

 9.1. Size:829K  kexin
 kc849 kc850.pdf pdf_icon

KC850W

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849 BC850 (KC849 KC850) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements BC859 and BC860. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

Другие транзисторы: KCX56, KCX591, KCX69, KCX70, KCX71, KC849, KC849W, KC850, D965, KC856, KC856A, KC856B, KC856BS, KC856S, KC856W, KC857, KC857A