2N6655-2 Todos los transistores

 

2N6655-2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6655-2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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2N6655-2 datasheet

 8.1. Size:11K  semelab
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2N6655-2

2N6655 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 400V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.1. Size:89K  vishay
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2N6655-2

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 9.2. Size:146K  mospec
2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6655-2

A A A

 9.3. Size:42K  no
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2N6655-2

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