KMBTA06 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMBTA06
Código: 1G*
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KMBTA06
KMBTA06 Datasheet (PDF)
kmbta06.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA06 (KMBTA06)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features For Switching and Amplifier Applications Complementary to MMBTA561 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO
kmbta05.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA05 (KMBTA05)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=60V1 2 Driver transistor+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collecto
kmbta45.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA45 (KMBTA45)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High Collector-Emitter Voltage1 2+0.02+0.1 Complement to MMBTA93 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 400 Collecto
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