KMBTA06 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMBTA06

Código: 1G*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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KMBTA06 datasheet

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KMBTA06

SMD Type Transistors NPN Transistors MMBTA06 (KMBTA06) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features For Switching and Amplifier Applications Complementary to MMBTA56 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO

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KMBTA06

SMD Type Transistors NPN Transistors MMBTA05 (KMBTA05) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=60V 1 2 Driver transistor +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collecto

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KMBTA06

SMD Type Transistors NPN Transistors MMBTA45 (KMBTA45) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features High Collector-Emitter Voltage 1 2 +0.02 +0.1 Complement to MMBTA93 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 400 Collecto

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