Биполярный транзистор KMBTA06 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KMBTA06
Маркировка: 1G*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KMBTA06 Datasheet (PDF)
kmbta06.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA06 (KMBTA06)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features For Switching and Amplifier Applications Complementary to MMBTA561 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO
kmbta05.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA05 (KMBTA05)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=60V1 2 Driver transistor+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collecto
kmbta45.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA45 (KMBTA45)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High Collector-Emitter Voltage1 2+0.02+0.1 Complement to MMBTA93 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 400 Collecto
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
