KMDT3906 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMDT3906

Código: K3N

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT363

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KMDT3906 datasheet

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KMDT3906

SMD Type Transistors PNP Transistors MMDT3906 (KMDT3906) Features Epitaxial planar die construction Ideal for low power amplification and switching Dual PNP Transistors Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Current -

 7.1. Size:534K  kexin
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KMDT3906

SMD Type Transistors NPN Transistors MMDT3904 (KMDT3904) Features Epitaxial planar die construction Ideal for low power amplification and switching Dual NPN Transistors Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 60 Collector - Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter - Base Voltage VEBO 5 Collector Current - Con

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