CZT651 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CZT651
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: SOT223
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CZT651 Datasheet (PDF)
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CZT651www.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENT DESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT651 type is a NPN Silicon Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current applicationsMARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSColl
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