CZT651. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZT651

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT651 даташит

 ..1. Size:527K  central
 czt651.pdf pdf_icon

CZT651

CZT651 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT651 type is a NPN Silicon Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current applications MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Coll

Другие транзисторы: CV7738, CV7764, CV7764L-O, CZT3120, CZT3150, CZT5401E, CZT5551E, CZT5551HC, BC549, CZT7090L, CZT7090LE, CZT7120, CZT751, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684