CTLT5551-M832D Todos los transistores

 

CTLT5551-M832D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTLT5551-M832D
   Código: CFS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TLM832D
 

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CTLT5551-M832D Datasheet (PDF)

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CTLT5551-M832D

CTLT5551-M832DSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL, HIGH VOLTAGEDESCRIPTION:GENERAL PURPOSEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT5551-M832D NPN SILICON TRANSISTORSis a Dual NPN General Purpose, High Voltage Amplifier Transistor packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLMTM) surface mount case. These devices are designed for applications where smal

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History: CSC2002L | ACY52

 

 
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