Справочник транзисторов. CTLT5551-M832D

 

Биполярный транзистор CTLT5551-M832D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CTLT5551-M832D
   Маркировка: CFS
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TLM832D
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CTLT5551-M832D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  central
 ctlt5551-m832d.pdf pdf_icon

CTLT5551-M832D

CTLT5551-M832DSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL, HIGH VOLTAGEDESCRIPTION:GENERAL PURPOSEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT5551-M832D NPN SILICON TRANSISTORSis a Dual NPN General Purpose, High Voltage Amplifier Transistor packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLMTM) surface mount case. These devices are designed for applications where smal

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC5321 | SRC1203S | BD230-6

 

 
Back to Top

 


 
.