CTLT5551-M832D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLT5551-M832D

Маркировка: CFS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TLM832D

 Аналоги (замена) для CTLT5551-M832D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CTLT5551-M832D даташит

 ..1. Size:407K  central
 ctlt5551-m832d.pdf pdf_icon

CTLT5551-M832D

CTLT5551-M832D SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL, HIGH VOLTAGE DESCRIPTION GENERAL PURPOSE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT5551-M832D NPN SILICON TRANSISTORS is a Dual NPN General Purpose, High Voltage Amplifier Transistor packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLMTM) surface mount case. These devices are designed for applications where smal

Другие транзисторы: CXT7090L, CXT7410, CXT7820, RN2609, CTLM3410-M832D, CTLM3474-M832D, CTLM7410-M832D, CTLT3410-M621, BD139, CTLT7410-M621, CTLT8099-M322S, CTLT853-M833, CTLT953-M833, CTLT953-M833S, CV7723, CV7723L-O, CV7723-O