Биполярный транзистор CTLT5551-M832D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CTLT5551-M832D
Маркировка: CFS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TLM832D
Аналоги (замена) для CTLT5551-M832D
CTLT5551-M832D Datasheet (PDF)
..1. Size:407K central
ctlt5551-m832d.pdf
ctlt5551-m832d.pdf
CTLT5551-M832DSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL, HIGH VOLTAGEDESCRIPTION:GENERAL PURPOSEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT5551-M832D NPN SILICON TRANSISTORSis a Dual NPN General Purpose, High Voltage Amplifier Transistor packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLMTM) surface mount case. These devices are designed for applications where smal
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050