CZD13003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CZD13003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CZD13003
CZD13003 Datasheet (PDF)
czd13003.pdf
CZD13003 1.5A , 700V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-252 FEATURES Power Switching Applications PACKAGE INFORMATION Package MPQ Leader Size ACBDTO-252 2.5K 13 inch G EK H FNOPM J Collector 2 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Ma
czd1386.pdf
CZD1386 -5 A, -30 V PNP Epitaxial Silicon Transistor Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The CZD1386 is designed for low frequency applications. FEATURES Low VCE(sat) = -0.55V(Typ.) (IC/IB = -4 A/ -0.1 A) Excellent DC current gain characteristics PACKAGE DIMENSIONS Millimeter Millimeter REF. REF.Min. Max. Min. Max.A 6.40 6.80 G 0.50 0.70B 5.20 5.50 H 2.20 2.40
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SA513O | 2N4004
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050