BUX25S Todos los transistores

 

BUX25S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX25S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUX25S datasheet

 ..1. Size:10K  semelab
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BUX25S

BUX25S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

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BUX25S

isc Silicon NPN Power Transistor BUX25 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desinged for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

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