BUX25S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUX25S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX25S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX25S даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bux25s.pdf pdf_icon

BUX25S

BUX25S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 bux25.pdf pdf_icon

BUX25S

isc Silicon NPN Power Transistor BUX25 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desinged for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

Другие транзисторы: BUX51SMD, BUX51SMD05, BUX52SMD, BUX52SMD05, BUX21A, BUX24A, BUX24S, BUX24X, 2N3906, BUX40S, BUX45X, BUX47SMD, RN2968, RN2970, RN2973HFE, BUX48SMD, BUX49SMD