2N6692 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6692  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 550 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO61

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2N6692 datasheet

 9.1. Size:916K  no
 2n6676-t1-t3 2n6678-t1-t3 2n6691 2n6693.pdf pdf_icon

2N6692

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be completed by 13 February 2014. MIL-PRF-19500/538G 13 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/538F 10 February 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER, TYPES 2N6676, 2N6678, 2N6676T1, 2N6678T1, 2N6676T3, 2N6678T3, 2

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2N6692

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/537 Devices Qualified Level JAN 2N6674 2N6675 2N6689 2N6690 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6674 2N6675 Unit 2N6689 2N6690 Collector-Emitter Voltage 300 400 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VE

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2N6692

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 Devices Qualified Level JAN 2N6676 2N6678 2N6691 2N6693 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6676 2N6678 Unit 2N6691 2N6693 Collector-Emitter Voltage 300 400 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VE

Otros transistores... 2N6678, 2N6686, 2N6687, 2N6688, 2N6689, 2N669, 2N6690, 2N6691, 2SD313, 2N6693, 2N67, 2N670, 2N6701, 2N6702, 2N6703, 2N6704, 2N6705