BUX99 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX99
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 28 W
Tensión colector-base (Vcb): 730 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de BUX99
BUX99 Datasheet (PDF)
bux99.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUX99 DESCRIPTION High Collector Current-IC= 1.5A High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in fast switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter Voltag
Otros transistores... BUX54SMD05 , BUX77ASMD , BUX77SMD , BUX78A , BUX78A-220M , BUX78ASMD , BUX78SMD , BUX85G , BD135 , 2DA1201Y , 2DA1213O , 2DA1213Y , 2DA1971 , 2DB1182Q , 2DI75D-050A , 2DI75D-100 , 2DI75M-120 .
History: MJD50T4G
History: MJD50T4G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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