2DI30D-100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2DI30D-100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: M204
Búsqueda de reemplazo de 2DI30D-100
2DI30D-100 Datasheet (PDF)
2di30d-100.pdf

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI30D-100 (30A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSIS
2di300a-050.pdf

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2di30a-120.pdf

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI30A-120 (30A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSIS
Otros transistores... 2DI50M-050 , 2DI50M-120 , 2DI50Z-100 , 2DI50Z-120 , 2DI240A-055 , 2DI300A-050 , 2DI30A-120 , 2DI30D-050A , D667 , BC327-16BK , BC327-25BK , BC327-40BK , BC328-16BK , BC328-25BK , BC328-40BK , BC477B , BC477DCSM .
History: CPH3140 | RCA6341 | D43CU5 | 3CG6
History: CPH3140 | RCA6341 | D43CU5 | 3CG6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015