2DI30D-100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2DI30D-100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: M204
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2DI30D-100
2DI30D-100 Datasheet (PDF)
2di30d-100.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI30D-100 (30A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSIS
2di300a-050.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2di30a-120.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI30A-120 (30A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSIS
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050