2SA727 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA727 📄📄
Código: 727
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 160
Encapsulados: TSOP6
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2SA727 datasheet
2sa727.pdf
2SA727 -3A, -40V PNP Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free TSOP-6 FEATURES A E High current output up to -3A L Low saturation voltage 6 5 4 MARKING B 7 2 7 1 2 3 = Date Code F C H J D G K PACKAGE INFORMATION Millimeter Millimeter REF. REF. Package MPQ Lea
2sa719 2sa720.pdf
Transistor 2SA719, 2SA720 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification and driver amplification Unit mm Complementary to 2SC1317 and 2SC1318 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Complementary pair with 2SC1317 and 2SC1318. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to 2SA719 30 VCBO V +0.2 +0.2 base voltage 2SA720 60 0.45
2sa720a e.pdf
Transistor 2SA720A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency driver amplification Unit mm Complementary to 2SC1318A 5.0 0.2 4.0 0.2 Features High collector to emitter voltage VCEO. Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W output amplifier. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 Collector to base voltage VCBO
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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