2SAR512R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SAR512R

Código: MB

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 430 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SC96

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2SAR512R datasheet

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2SAR512R

2SAR512R Datasheet PNP -2.0A -30V Middle Power Transistor lOutline TSMT3 Parameter Value Collector VCEO -30V Base IC -2.0A Emitter 2SAR512R (SC-96) lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR512R 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V(Max.) (IC/IB= -700mA/ -35mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications Moto

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2SAR512R

2SAR512P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-30V/-2A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPac

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2SAR512R

2SAR512P5 Datasheet Medium Power Transistors(-30V/-2A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.4V(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif

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2SAR512R

Medium Power Transistors (-30V / -2A) 2SAR512P Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor MPT3 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching (1)Base Applications (2)Collector Abbreviated symbol MB (3)Emitter Driver Packaging specifications Inner circuit

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