Биполярный транзистор 2SAR512R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SAR512R
Маркировка: MB
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 430 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC96
2SAR512R Datasheet (PDF)
2sar512r.pdf
2SAR512RDatasheetPNP -2.0A -30V Middle Power TransistorlOutline TSMT3Parameter ValueCollector VCEO-30VBase IC-2.0AEmitter 2SAR512R (SC-96) lFeatures1) Suitable for Middle Power Driver2) Complementary NPN Types : 2SCR512R3) Low VCE(sat)VCE(sat)= -0.4V(Max.)(IC/IB= -700mA/ -35mA)4) Lead Free/RoHS Compliant.lInner circuitCollector lApplicationsMoto
2sar512pfra.pdf
2SAR512P FRADatasheetMiddle Power Transistor(-30V/-2A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-30VIC-2AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltageVCE(sat)=-400mV(Max.)(IC/IB=-700mA/-35mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPac
2sar512p5.pdf
2SAR512P5DatasheetMedium Power Transistors(-30V/-2A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-30VIC-2AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=-0.4V(Max.)(IC/IB=-700mA/-35mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specif
2sar512p.pdf
Medium Power Transistors (-30V / -2A) 2SAR512P Structure Dimensions (Unit : mm)PNP Silicon epitaxial planar transistorMPT3 Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA)(1) (2) (3)2) High speed switching(1)Base Applications(2)CollectorAbbreviated symbol : MB(3)EmitterDriver Packaging specifications Inner circuit
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050