2SAR542PFRA Todos los transistores

 

2SAR542PFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SAR542PFRA
   Código: MQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 240 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SAR542PFRA Datasheet (PDF)

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2SAR542PFRA

2SAR542P FRADatasheetMiddle Power Transistor (-30V / -5A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-30VIC-5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltageVCE(sat) =-400mV (Max.)(IC/IB=-2A/-100mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGl

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2SAR542PFRA

2SAR542PData SheetPNP -5.0A -30V Middle Power TransistorlOutline MPT3Parameter ValueVCEO-30VBase Collector IC-5.0AEmitter 2SAR542P lFeatures(SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SCR542P3) Low VCE(sat)VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -2A/ -100mA)4) Lead Free/RoHS Compliant.lInner circuitCollector lApplications

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2SAR542PFRA

2SAR542F3DatasheetPNP -3.0A -30V Middle Power TransistorlOutlinelParameter Value HUML2020L3VCEO-30VIC-3A2SAR542F3 lFeaturesllInner circuitl1) Suitable for Middle Power Driver.2) Low VCE(sat)VCE(sat)=-0.20V(Max.).(IC/IB=-1A/-50mA)3) High collector current.IC=-3A(max),

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2SAR542PFRA

Midium Power Transistors (-30V / -5A) 2SAR542D Structure Dimensions (Unit : mm)PNP Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -2A / -100mA)2) High speed switching (1) Base 9 Applications (2) Collector (3) Emitter

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