Справочник транзисторов. 2SAR542PFRA

 

Биполярный транзистор 2SAR542PFRA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SAR542PFRA
   Маркировка: MQ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR542PFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1510K  rohm
2sar542pfra.pdfpdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542P FRADatasheetMiddle Power Transistor (-30V / -5A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-30VIC-5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltageVCE(sat) =-400mV (Max.)(IC/IB=-2A/-100mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGl

 6.1. Size:697K  rohm
2sar542p.pdfpdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542PData SheetPNP -5.0A -30V Middle Power TransistorlOutline MPT3Parameter ValueVCEO-30VBase Collector IC-5.0AEmitter 2SAR542P lFeatures(SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SCR542P3) Low VCE(sat)VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -2A/ -100mA)4) Lead Free/RoHS Compliant.lInner circuitCollector lApplications

 7.1. Size:714K  rohm
2sar542f3.pdfpdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542F3DatasheetPNP -3.0A -30V Middle Power TransistorlOutlinelParameter Value HUML2020L3VCEO-30VIC-3A2SAR542F3 lFeaturesllInner circuitl1) Suitable for Middle Power Driver.2) Low VCE(sat)VCE(sat)=-0.20V(Max.).(IC/IB=-1A/-50mA)3) High collector current.IC=-3A(max),

 7.2. Size:591K  rohm
2sar542d.pdfpdf_icon

2SAR542PFRA

Midium Power Transistors (-30V / -5A) 2SAR542D Structure Dimensions (Unit : mm)PNP Silicon epitaxial planar transistorCPT3 (SC-63) Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -2A / -100mA)2) High speed switching (1) Base 9 Applications (2) Collector (3) Emitter

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC2920 | PBSS5240X | 2N5034 | BSS71S | BT2222 | 2SD493 | MP2484R

 

 
Back to Top

 


 
.