2SAR542PFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SAR542PFRA

Маркировка: MQ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SAR542PFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR542PFRA даташит

 ..1. Size:1510K  rohm
 2sar542pfra.pdf pdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542P FRA Datasheet Middle Power Transistor (-30V / -5A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat) =-400mV (Max.) (IC/IB=-2A/-100mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING l

 6.1. Size:697K  rohm
 2sar542p.pdf pdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542P Data Sheet PNP -5.0A -30V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -30V Base Collector IC -5.0A Emitter 2SAR542P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR542P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -2A/ -100mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications

 7.1. Size:714K  rohm
 2sar542f3.pdf pdf_icon

2SAR542PFRA

2SAR542F3 Datasheet PNP -3.0A -30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value HUML2020L3 VCEO -30V IC -3A 2SAR542F3 lFeatures l lInner circuit l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.20V(Max.). (IC/IB=-1A/-50mA) 3) High collector current. IC=-3A(max),

 7.2. Size:591K  rohm
 2sar542d.pdf pdf_icon

2SAR542PFRA

Midium Power Transistors (-30V / -5A) 2SAR542D Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor CPT3 (SC-63) Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -2A / -100mA) 2) High speed switching (1) Base 9 Applications (2) Collector (3) Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SAR502UB, 2SAR512PFRA, 2SAR512R, 2SAR513PFRA, 2SAR513R, 2SAR514PFRA, 2SAR533PFRA, 2SAR542F3, BC639, 2SAR544PFRA, 2SAR552PFRA, 2SAR553PFRA, 2SAR553R, 2SAR554PFRA, 2SAR562F3, 2SAR572D, 2SAR573D