2SB0950 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB0950
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO220FM
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2SB0950 Datasheet (PDF)
2sb0950-a 2sb950-a.pdf

Power Transistors2SB0950 (2SB950), 2SB0950A (2SB950A)Silicon PNP epitaxial planar type darlingtonUnit: mmFor power amplification and switching10.00.2 4.20.2Complementary to 2SD1276 and 2SD1276A5.50.2 2.70.2 Features 3.10.1 High forward current transfer ratio hFE High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with on
Otros transistores... 2SB1132GP , 2SB1182GP , 2SB1182P , 2SB1182Q , 2SB1182R , 2SB1184P , 2SB1184Q , 2SB1184R , C1815 , 2SB0950A , 2SB1073Q , 2SB1073R , INA1001AC1 , INA6001AC1 , INA6001AP1 , INA6002AC1 , INA6005AC1 .
History: NSS1C300ET4G | 2SB1123R
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Liste
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