KZT949 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KZT949
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 122 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT223
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KZT949 Datasheet (PDF)
kzt949.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsFZT949 (KZT949)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=-5.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-30V Complementary to FZT8491 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
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History: BUY63 | 2SC1893



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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