HQ1L2N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HQ1L2N

Código: DP

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT89

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HQ1L2N datasheet

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HQ1L2N

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