HR1F2Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HR1F2Q
Código: MU
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HR1F2Q
HR1F2Q Datasheet (PDF)
hr1a3m hr1f3p hr1l3n hr1a4m hr1l2q hr1f2q hr1a4a.pdf
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