Справочник транзисторов. HR1F2Q

 

Биполярный транзистор HR1F2Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HR1F2Q
   Маркировка: MU
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для HR1F2Q

 

 

HR1F2Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  renesas
 hr1a3m hr1f3p hr1l3n hr1a4m hr1l2q hr1f2q hr1a4a.pdf

HR1F2Q HR1F2Q

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: AD-BC847-B

 

 
Back to Top