KZT649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KZT649
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT223
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KZT649 Datasheet (PDF)
kzt649.pdf

SMD Type TransistorsNPN TransistorsFZT649 (KZT649)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features Collector Current Capability IC=3A Collector Emitter Voltage VCEO=25V1 2 3 Low saturation voltage0.2502.30 (typ) Complementary to FZT749Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta =
Otros transistores... HR1A3M , HR1A4A , HR1A4M , HR1F2Q , HR1F3P , HR1L2Q , HR1L3N , KZT591 , 2SC1815 , KZT749 , KZT789A , KZT849 , KZT851 , KZT853 , ISC3581AS1 , ISC4356AS1 , ISC6046AU1 .
History: 2SC833 | 2SC3608 | SQ918 | DCX115EU | DDTA115EUA | 2N3727 | BC818LT1
History: 2SC833 | 2SC3608 | SQ918 | DCX115EU | DDTA115EUA | 2N3727 | BC818LT1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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