KZT649 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KZT649

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de KZT649

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KZT649 datasheet

 ..1. Size:792K  kexin
 kzt649.pdf pdf_icon

KZT649

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT649 (KZT649) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features Collector Current Capability IC=3A Collector Emitter Voltage VCEO=25V 1 2 3 Low saturation voltage 0.250 2.30 (typ) Complementary to FZT749 Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta =

Otros transistores... HR1A3M, HR1A4A, HR1A4M, HR1F2Q, HR1F3P, HR1L2Q, HR1L3N, KZT591, TIP35C, KZT749, KZT789A, KZT849, KZT851, KZT853, ISC3581AS1, ISC4356AS1, ISC6046AU1