KZT849 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KZT849
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KZT849
KZT849 Datasheet (PDF)
kzt849.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsFZT849 (KZT849)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features Collector Current Capability IC=7A Collector Emitter Voltage VCEO=30V Very low saturation voltages1 2 3 Complementary to FZT9490.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .