KZT849. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KZT849

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для KZT849

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KZT849 даташит

 ..1. Size:626K  kexin
 kzt849.pdf pdf_icon

KZT849

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT849 (KZT849) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features Collector Current Capability IC=7A Collector Emitter Voltage VCEO=30V Very low saturation voltages 1 2 3 Complementary to FZT949 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings

Другие транзисторы: HR1F2Q, HR1F3P, HR1L2Q, HR1L3N, KZT591, KZT649, KZT749, KZT789A, BC558, KZT851, KZT853, ISC3581AS1, ISC4356AS1, ISC6046AU1, ISC6053AM1, ISC6053AU1, ISD1447AS1