ISA1603AM1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISA1603AM1
Código: TR
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar ISA1603AM1
ISA1603AM1 Datasheet (PDF)
isa1530ac1 isa1603ac1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1530AC1 ISA1603AM1. FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1530AC1 ISA1603AM1 is super mini ISA1530AC1 ISA1603AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify appli
isa1235ac1 isa1602am1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1235AC1 ISA1602AM1FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1235AC1 ISA1602AM1 is super mini ISA1235AC1 ISA1602AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify applicati
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History: ZXTN2007Z
History: ZXTN2007Z
Liste
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